SSD|SAMSUNG|990 EVO Plus|4TB|M.2|PCIe Gen5|NVMe|TLC|Write speed 6300 MBytes/sec|Read speed 7250 MBytes/sec|2.38mm|TBW 2400 TB|MZ-V9S4T0BW

990 EVO Plus PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 4TB

• Samsung NVMe SSD z technologią V-NAND
• Do 7250 MB/s sekwencyjnego odczytu i 6300 MB/s zapisu
• 5 lat gwarancji

Wydajność
Szybkość odczytu sekwencyjnego do 7250 MB/s - o 45% większa prędkość niż w poprzednim modelu.

Efektywność energetyczna
Zwiększona efektywność energetyczna o 73%, przy jednoczesnym zachowaniu wydajności i kontroli termicznej.

Wszechstronność
Rozszerzona pojemność i szybki IntelligentTurboWrite 2.0.

Spektakularna prędkość każdego dnia
Szybsze wykonywanie zadań. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje zwiększone prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7,250/ 6,300 MB/s. Natychmiastowy transfer ogromnych plików.

Inteligentne zarządzanie energią cieplną
Zoptymalizowana wydajność, zwiększone możliwości. Pokryty niklem kontroler zwiększa przepustowość MB/s na wat o 73%, osiągając ten sam poziom mocy i kontroli termicznej przy mniejszym zużyciu energii. Skoncentruj się na pracy lub zabawie bez obaw o przegrzanie lub żywotność baterii.

Dodatkowa przestrzeń. Dodatkowa prędkość.
Wykorzystaj pełną moc swojego dysku dzięki ulepszonej technologii Intelligent TurboWrite 2.0. Szybsze przetwarzanie ogromnych ilości danych i płynne przechodzenie przez ciężkie grafiki dzięki TurboWrite 2.0.

Oprogramowanie Samsung Magician
Odkryj magię w swoim dysku SSD. Narzędzia optymalizacyjne oprogramowania Samsung Magician zapewniają najlepszą wydajność dysku SSD. To bezpieczny i łatwy sposób na migrację wszystkich danych w celu uaktualnienia dysku SSD Samsung. Oprogramowanie chroni cenne dane, monitoruje stan dysku i pobiera najnowsze aktualizacje.

Innowacyjność w praktyce
Przez dziesięciolecia pamięć flash NAND firmy Samsung napędzała przełomowe technologie, które zmieniały każdą część naszego codziennego życia. Technologia NAND flash została zastosowana w naszych dyskach SSD i stanowi silny impuls dla kolejnych innowacji.

A high‑performance internal SSD ideal for PCs with an M.2 slot. Utilizes NVMe protocol and V‑NAND TLC memory. Great for those needing large storage and very fast read/write speeds.

Technical Specifications:

Capacity: 4 TB
Form Factor / Size: M.2 2280 (22 x 80 mm)
Interface: PCIe 4.0 x4 and PCIe 5.0 x2 (NVMe 2.0)
Sequential Read: up to ~ 7,250 MB/s
Sequential Write: up to ~ 6,300 MB/s
Random Read (4KB): ~ 1,050,000 IOPS
Random Write (4KB): ~ 1,400,000 IOPS
Memory Type: V‑NAND TLC
Supported Features: TRIM, S.M.A.R.T.
Encryption: AES‑256 bit
Reliability / MTBF: ~ 1,500,000 hours
Operating Temperature: 0 °C to ~ 70 °C
Warranty: 5 years or 2,400 TB written

Ātrs SSD (cietais disks) iekšējai lietošanai, paredzēts datoriem ar M.2 ligzdu. Atbalsta NVMe protokolu, izmanto V‑NAND TLC atmiņas šūnas. Lieliska izvēle, ja nepieciešama liela ietilpība un ātra datu lasīšana / ierakstīšana.

Tehniskie parametri:

Kapacitāte: 4 TB
Formāts / izmērs: M.2 2280 (22 x 80 mm)
Interfeiss: PCIe 4.0 x4 un PCIe 5.0 x2 (NVMe 2.0)
Secīgā lasīšana: līdz ~ 7 250 MB/s
Secīgā ierakstīšana: līdz ~ 6 300 MB/s
Nejaušā lasīšana (4KB): aptuveni 1 050 000 IOPS
Nejaušā ierakstīšana (4KB): aptuveni 1 400 000 IOPS
Atmiņas tips: V‑NAND TLC
Atbalsts: TRIM, S.M.A.R.T.
Šifrēšana: 256 bitu AES
Uzticamība / MTBF: ~ 1 500 000 stundas
Temperatūra darba režīmā: no 0 °C līdz ~ 70 °C
Garantija: 5 gadi vai ierakstīto datu apjoms līdz 2400 TBW

Высокопроизводительный внутренний SSD‑накопитель для ПК с разъёмом M.2. Использует протокол NVMe и память V‑NAND TLC. Отличный выбор при необходимости большого объёма памяти и высокой скорости записи/чтения.

Технические характеристики:

Вместимость: 4 ТБ
Форм-фактор / размер: M.2 2280 (22 х 80 мм)
Интерфейс: PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2 (NVMe 2.0)
Последовательное чтение: до ~ 7 250 МБ/с
Последовательная запись: до ~ 6 300 МБ/с
Случайное чтение (4KB): ~ 1 050 000 IOPS
Случайная запись (4KB): ~ 1 400 000 IOPS
Тип памяти: V‑NAND TLC
Поддержка: TRIM, S.M.A.R.T.
Шифрование: AES‑256 бит
Надёжность / MTBF: ~ 1 500 000 часов
Диапазон рабочих температур: от 0 °C до ~ 70 °C
Гарантия: 5 лет или объём записи до 2400 TBW