Close
(0) items
Ваша корзина пуста.
все категории
    Filters
    Preferences
    Поиск
    Производитель: GOODRAM

    Goodram 8GB GR1600S3V64L11/8G


    €19,84 с налогом

    Артикул: ST00550282
    Код производителя: GR1600S3V64L11/8G
    Сайт производителя
    гарантия: 12 месяцы
    *
    Склад Доставка Наличие Цена
    PL
    LV
    PL
    LV
    LT

    Характеристики
    Встроенная память 8 GB
    Тип памяти DDR3
    Тип памяти SO-DIMM
    KIT Single module
    Memory type SODIMM DDR3L (Low Voltage)
    Total memory capacity8 (GigaBajt)
    Memory bus frequency1600 MHz
    Number of memory cards in set1
    CAS LatencyCL11
    Radiator No
    Width45
    Height145
    Depth6
    Weight10
    Internal memory8 GB
    Memory layout (modules x size)1 x 8 GB
    Internal memory typeDDR3
    Memory clock speed1600 MHz
    Component forLaptop
    Memory form factor204-pin SO-DIMM
    ECCNo
    Buffered memory typeUnregistered (unbuffered)
    CAS latency11
    Memory voltage1.35 V
    Module configuration512M x 8
    Width67.6 mm
    Harmonized System (HS) code84733020
    Description
    Goodram GR1600S3V64L11/8G. Component for: Laptop, Internal memory: 8 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 8 GB, Internal memory type: DDR3, Memory clock speed: 1600 MHz, Memory form factor: 204-pin SO-DIMM, CAS latency: 11
    Description
    Moduļu skaits: 1, Pielietojums: portatīvajam datoram (SODIMM), Atmiņas tips: DDR3, Atmiņas apjoms: 8 GB, Frekvence: 1600 MHz, CL radītājs: CL11, Spriegums: 1.35 V, Garantija: 2 gadi
    Weight0.05
    Gross weight0.1
    Description
    • - SODIMM form factor
    • - supply voltage 1.5 V and 1.35 V
    • - frequency: 1333, 1600 MHz
    • - lifetime warranty + technical support

     

    8GB 1600MHz CL11 1.35V SODIMM

     

    Iekšējā atmiņa: 8 GB,

     Atmiņas izkārtojums (moduļi x izmērs): 1 x 8 GB,

    Iekšējās atmiņas tips: DDR3,

    Atmiņas taktātrums: 1600 MHz,

    Atmiņas formas standarts: 204-pin SO-DIMM,

     CAS latentums: 11.

    Оперативная память: 8 GB,

    Конфигурация памяти (модули х емкость): 1 x 8 GB,

    Тип внутренней памяти: DDR3,

     Тактовая частота памяти: 1600 MHz,

    Форм-фактор памяти: 204-pin SO-DIMM,

    Время задержки CAS: 11.

     

    Характеристики
    Встроенная память 8 GB
    Тип памяти DDR3
    Тип памяти SO-DIMM
    KIT Single module
    Memory type SODIMM DDR3L (Low Voltage)
    Total memory capacity8 (GigaBajt)
    Memory bus frequency1600 MHz
    Number of memory cards in set1
    CAS LatencyCL11
    Radiator No
    Width45
    Height145
    Depth6
    Weight10
    Internal memory8 GB
    Memory layout (modules x size)1 x 8 GB
    Internal memory typeDDR3
    Memory clock speed1600 MHz
    Component forLaptop
    Memory form factor204-pin SO-DIMM
    ECCNo
    Buffered memory typeUnregistered (unbuffered)
    CAS latency11
    Memory voltage1.35 V
    Module configuration512M x 8
    Width67.6 mm
    Harmonized System (HS) code84733020
    Description
    Goodram GR1600S3V64L11/8G. Component for: Laptop, Internal memory: 8 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 8 GB, Internal memory type: DDR3, Memory clock speed: 1600 MHz, Memory form factor: 204-pin SO-DIMM, CAS latency: 11
    Description
    Moduļu skaits: 1, Pielietojums: portatīvajam datoram (SODIMM), Atmiņas tips: DDR3, Atmiņas apjoms: 8 GB, Frekvence: 1600 MHz, CL radītājs: CL11, Spriegums: 1.35 V, Garantija: 2 gadi
    Weight0.05
    Gross weight0.1
    Description
    • - SODIMM form factor
    • - supply voltage 1.5 V and 1.35 V
    • - frequency: 1333, 1600 MHz
    • - lifetime warranty + technical support

     

    8GB 1600MHz CL11 1.35V SODIMM

     

    Iekšējā atmiņa: 8 GB,

     Atmiņas izkārtojums (moduļi x izmērs): 1 x 8 GB,

    Iekšējās atmiņas tips: DDR3,

    Atmiņas taktātrums: 1600 MHz,

    Atmiņas formas standarts: 204-pin SO-DIMM,

     CAS latentums: 11.

    Оперативная память: 8 GB,

    Конфигурация памяти (модули х емкость): 1 x 8 GB,

    Тип внутренней памяти: DDR3,

     Тактовая частота памяти: 1600 MHz,

    Форм-фактор памяти: 204-pin SO-DIMM,

    Время задержки CAS: 11.

     
    Последние